半导体器件芯片常用型号参数

半导体器件常用型号参数

一、半导体二极管参数符号及其意义

CT---势垒电容

Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF---正向直流电流（正向测试电流） 。锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下，通过极间的电

流；硅整流管、 硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流 （平

均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参

数时给定的电流

IF（AV）---正向平均电流

IFM（IM ）---正向峰值电流（正向最大电流） 。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向

脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov)---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR（AV）---反向平均电流

IR（In）---反向直流电流（反向漏电流） 。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半

波电阻性负载电路中， 加反向电压规定值时， 所通过的电流； 硅开关二极管两端加反向工作

电压 VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最

高反向工作电压下的漏电流。

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